Reaksiegebonde Silikonkarbiedteël

Kort beskrywing:

Reaksiegebonde silikonkarbied, ook bekend as gesilikoniseerde silikonkarbied of SiSiC, word gemaak deur kompakte, gemaak van mengsels van SiC en koolstof, met vloeibare silikon te infiltreer. Die silikon reageer met die koolstof en vorm meer SiC wat die aanvanklike SiC-deeltjies bind. Enige oortollige silikon vul die oorblywende porieë in die liggaam en produseer 'n digte SiC-Si-komposiet. Die infiltrasie gee die materiaal 'n unieke kombinasie van meganiese, termiese en elektriese eienskappe.

Stuur e-pos aan ons

Produkbesonderhede

Voordele van Reaksiegebonde Silikonkarbied

1) Lae digtheid.
2) Korrosiebestandheid.
3) Slytweerstand.
4) Oksidasieweerstand.
5) Skuurweerstand.
6) Goeie termiese skokweerstand (as gevolg van lae termiese uitbreidingskoëffisiënt en hoë termiese geleidingsvermoë).
7) Uitstekende sterkte teen hoë temperatuur.
8) Goeie dimensionele beheer van komplekse vorms.

Slytvaste produkte: Silikonkarbiedplaat, silikonkarbiedbaksteen, pypvoering, pypkeël, sikloon, ens.
Oondmeubels: Plaat, Balk, Rol, Brandermondstuk, Ronde balk, vierkantige balk, gatbalk. Kroes, Sagger, ens.
Ander: Ontzwavelingsspuitstukke
Toepassing van Reaksiegebonde Silikonkarbied:
Reaksiegebonde silikonkarbied het bewys dat dit 'n uitstekende materiaalkeuse is vir slytasietoepassings soos pypvoerings, spuitstukke, vloeibeheerspoele en groter slytasiekomponente in die mynbou sowel as ander nywerhede.

Hoofparameter

Eienskappe	Eenhede	SiSiC/RBSIC
Bulkdigtheid (SiC)	V01%	≥85
Grootmaatdigtheid	g/cm³	3.01
Skynbare porositeit	%	<0.1
Breukmodulus by 20 ℃	Mpa	250
Breukmodulus by 1200 ℃	Mpa	280
Elastisiteitsmodulus by 20 ℃	GPA	330
Breuktaaiheid	Mpa*m³	3.3
Termiese geleidingsvermoë teen 1200 ℃	wm^-1.k^-1	45
Termiese uitbreiding teen 1200 ℃	'n × 10^-6/℃	4.5
Termiese skokweerstand teen 1200 ℃		Baie goed
Koëffisiënt van hittestraling		<0.9
Maks. werktemperatuur	℃	1350